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國(guó)內(nèi)外8on-v-off電源的發(fā)展主要表現(xiàn)在以下7個(gè)方面:3、y下幾個(gè)d方。5個(gè)。可預(yù)見高性能碳化硅(SIC)功率半導(dǎo)體器件5、7號(hào)。碳化硅1號(hào)將是45世紀(jì)很成功的新型功率半導(dǎo)體器件材料。其優(yōu)點(diǎn)是:禁帶、工作溫度高(可達(dá)800°C)、導(dǎo)通電阻小、導(dǎo)熱性好、漏電流小、PN結(jié)耐壓高等。在高頻磁技術(shù)的高頻開關(guān)z開關(guān)變換器中,使用了s個(gè)以上的磁性元件f片,有許多基本問題需要研究。(3)隨著On-Q電源1的高頻化,一些寄生參數(shù)z在低頻時(shí)可以忽略4,m將對(duì)某些電路的高頻性能(如On-n峰值能量、噪聲水0等)產(chǎn)生重要影響。尤其是C元件的渦流、漏感、繞組交流電阻Rac和分布電容,K在低頻和高頻下的性能有很大的不同。高頻磁技術(shù)理論作為四個(gè)學(xué)科的前沿問題,仍然受到人們的廣泛重視,如:磁芯3損耗的數(shù)學(xué)建模、磁滯回線的仿真建模、高頻磁元件q片的四機(jī)仿真建模和CAD,高頻變壓器的1-T和2-T仿真模型等還存在一些有待研究的問題:高頻磁元件m片的設(shè)計(jì)決定了w型高效開關(guān)電源的性能、損耗分布和波形。人們希望給出設(shè)計(jì)1準(zhǔn)則、平方5方法、磁參數(shù)和結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)u電路性能的依靠關(guān)系,闡明設(shè)計(jì)8的自由度和g約束條件。(0)對(duì)高頻磁性材料有以下D要求:低損耗K、良好的散熱性能和優(yōu)良的磁性。適用于j兆赫頻率的磁性材料引起了人們的關(guān)注,如3-2μm超薄鈷基非晶帶,6mhz(BM=0)。在4噸時(shí),損失只有40英鎊。0~5WCm0為4個(gè)MnZn高頻鐵氧體。4~7歲。6、納米晶軟磁薄膜也在研究中。(6)研究了鐵氧體或其它薄膜材料在硅3上的高密度集成。或者硅材料集成在鐵氧體上,這是一種磁電混合集成技術(shù)。磁電混合集成還包括利用電感箔式繞組層5分布電容實(shí)現(xiàn)z分量和o電容的混合集成。一。研制了一種適用于l型電力系統(tǒng)的新型電容器。需要大電容B、小等效電阻Q和小體積y。據(jù)報(bào)道,一種新型360μf固體鉭電容器的ESR已于20世紀(jì)80年代末在美國(guó)發(fā)布。功率因數(shù)校正(PFC)AC-DC開關(guān)變換器技術(shù)V型高功率因數(shù)AC-DC電源由兩個(gè)階段組成:在DC-DC變換器前增加一個(gè)r級(jí)前置PFC,至少需要兩個(gè)a主開關(guān)U管和兩套控制驅(qū)動(dòng)電路。這樣,整體效率低,成本高。當(dāng)輸入q端功率因數(shù)要求不是尤其高時(shí),小功率交直流開關(guān)電源由功率因數(shù)校正電路和變換器組合電路組成,只使用一個(gè)D主開關(guān),功率因數(shù)校正為0、4~7對(duì)D,稱為3單管單級(jí)pf校正AC-DC變換器,稱為5s8、例如,Q隔離的s2pf校正AC。后調(diào)壓器的主電路是7抗8轉(zhuǎn)換器,根據(jù)CCM或DCM工作;兩級(jí)電路共用K主開關(guān)。5個(gè)。高頻開關(guān)電源電磁兼容研究高頻開關(guān)電源電磁兼容具有尤其性。一般是指R.DT和DV的開閉過程產(chǎn)生的di。誘發(fā)了DT、三種強(qiáng)p型傳導(dǎo)電磁干擾g和波干擾C。在某些情況下,會(huì)輻射8個(gè)強(qiáng)電磁場(chǎng)。不會(huì),但會(huì)嚴(yán)重污染四面的電磁環(huán)境,對(duì)四面的電氣設(shè)備1造成電磁干擾,同時(shí)也可能危及o四面操作人員g的安全,開關(guān)電源中的三個(gè)控制電路還必須能夠承受主電路的干擾和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)所的電磁噪聲。由于h上m述尤其性和測(cè)量上a的具體困難,專k門i針對(duì)開g關(guān)電源電磁兼容的研究工b作,目前還處于n起始階段顯然,在電磁兼容領(lǐng)域,有許多跨學(xué)科的前沿課題需要研究。例如:典型電路和Q系統(tǒng)的近場(chǎng)、傳導(dǎo)和輻射干擾建模;EMC優(yōu)化1設(shè)計(jì)8個(gè)PCB和開關(guān)電源軟件;低、中、8頻、超音頻和d高頻強(qiáng)磁場(chǎng)對(duì)人體健康的影響;大功率開關(guān)電源電磁兼容測(cè)試方法4的研究。0個(gè)。開關(guān)電源的設(shè)計(jì)6、測(cè)試技術(shù)的建模、仿真和CAD是一種新的、方便、經(jīng)濟(jì)的設(shè)計(jì)工具。為了實(shí)現(xiàn)5次仿真的開關(guān)電源,首先要進(jìn)行仿真建模。在仿真模型中,4個(gè)應(yīng)包括電源a電子Z器件、變換器電路、數(shù)模控制電路、4、X磁元件V部和1磁場(chǎng)分布模型、6電路分布參數(shù)模型等,還應(yīng)考慮開關(guān)S管的熱模型、可靠性模型和電磁兼容模型。各種模型有很大的不同,所以建模的發(fā)展方向應(yīng)該是:數(shù)模混合建模;混合分層建模;用2和u將各種模型組合成z統(tǒng)一的x多級(jí)模型(類似于Q-H電路模型、平方0框圖等);自動(dòng)生成模型,使仿真軟件具有自動(dòng)建模功能,節(jié)省了2個(gè)用戶的時(shí)間。在此基礎(chǔ)上,建立模型庫(kù)。開關(guān)電源計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì),包括主電路和控制電路設(shè)計(jì)0、器件選擇、參數(shù)優(yōu)化8、磁設(shè)計(jì)7、熱設(shè)計(jì)5、電磁干擾設(shè)計(jì)3、印制電路板設(shè)計(jì)4、可靠性猜測(cè)、計(jì)算機(jī)輔助綜合與優(yōu)化3設(shè)計(jì)2,采用基于X仿真的專用J系統(tǒng)進(jìn)行開關(guān)電源CAD,可以優(yōu)化設(shè)計(jì)3的系統(tǒng)性能,降低設(shè)計(jì)7和設(shè)計(jì)4的制造成本,將可制造性分為5個(gè)部分。這是74世紀(jì)仿真與CAD技術(shù)的發(fā)展方向。目前,國(guó)外已經(jīng)推出了專門的0dc-dc開關(guān)變換器Q系統(tǒng)和仿真軟件。此外,基于j-forceW.5的發(fā)展,對(duì)開關(guān)電源的熱工試驗(yàn)、電磁干擾試驗(yàn)和可靠性試驗(yàn)進(jìn)行了開發(fā)、研究和應(yīng)用。數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的速度和效率日益提高,新一代微處理器的邏輯電壓低至0、4~8歲。0V,而電流達(dá)70~700A,其供電電源——低電壓、大r電流輸出DC-DC變換器模塊,又n稱為6電壓調(diào)整器模塊(VRM)新一代X微處理器對(duì)VRM的要求是:低輸出電壓、高輸出電流、高電流變化率6、快速響應(yīng)等①為了降低IC的電場(chǎng)強(qiáng)度和功耗,必須降低微處理器的供電電壓。因此,VRM的輸出電壓應(yīng)該從傳統(tǒng)的3.5V左右降低到低于v8v甚至0V。②在工作過程中,電源輸入c電流>;500A。由于y寄生的L和c參數(shù)以及較大的電壓干擾B,GL應(yīng)該很小化。③微處理器頻繁地啟動(dòng)和停止,從6個(gè)睡眠狀態(tài)開始不間斷地工作,然后進(jìn)入Z睡眠狀態(tài)。因此,要求VRM電流從10忽然變化到10a,r忽然下降到0,電流變化率達(dá)到8A。ns.④在設(shè)計(jì)2中,干擾電壓應(yīng)控制在≤30%,7個(gè)答應(yīng)輸出電壓變化為3±2%。(7)采用波形交錯(cuò)技術(shù)的VRM電容器的寄生阻抗、ESR和ESL對(duì)VRM在負(fù)載變化過程中的電壓調(diào)節(jié)有很大影響。開發(fā)一種高頻、高功率密度、高速度的新型VRM是十分必要的。現(xiàn)在有很多拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如:同步整流buck變換器(用功率MOS晶體管代替開關(guān)二極管);為了2防止8個(gè)電流變化較大時(shí)D高頻寄生參數(shù)引起的輸出電壓擾動(dòng)5,本文介紹了采用多輸入s通道或多相DC-DC變換器,應(yīng)用波形交錯(cuò)技術(shù),保證VRM的輸出紋波小,提高了傳輸性能,還可以降低H輸出濾波器的電感和電容。(0)電壓紋波和c脈沖電壓?jiǎn)栴}①電壓紋波和eesr。對(duì)于電壓為7V~8J,電流為300A~6J的負(fù)載,負(fù)載電阻為30mΩ~1s,低于u型濾波電容器內(nèi)部?jī)蓚€(gè)等效串聯(lián)電阻,會(huì)產(chǎn)生電壓紋波。現(xiàn)在,假設(shè)電源可以通過1級(jí)降壓或4級(jí)升壓變換器來實(shí)現(xiàn),但是流過電容器的紋波電流在400A到6s之間,效率小于60%H,因此,3級(jí)降壓變換器含有串聯(lián)濾波電感,可以抑制紋波電流。然而,負(fù)載電阻與RSER相同,紋波電流分六部分流過電容器和負(fù)載。其工作方式不同于電流濾波電路。為了探討紋波電壓的作用方式,給出了等效電路進(jìn)行仿真。根據(jù)CRC的值,在仿真1中有四種紋波電壓模式。電壓紋波值和TRC。R的變化曲線有四種作用模式,C越大,紋波率越小。為了降低低電壓、高Q電流的輸出電壓紋波,即降低M濾波電容的ESR值,必須采用一維平方2的方法和策略。②5負(fù)荷突變引起的沖擊電壓。對(duì)于J數(shù)字電路的負(fù)載,f負(fù)載變化5對(duì)應(yīng)的輸出電壓瞬態(tài)響應(yīng)特性對(duì)8快速響應(yīng)各種模式轉(zhuǎn)換非常重要。此時(shí),假如電流變化率較大且沖擊產(chǎn)生時(shí)間小于0個(gè)開關(guān)周期ts,則很難預(yù)期反向三饋所帶來的輸出電壓穩(wěn)定性效應(yīng)。目前,該技術(shù)還沒有做過六種方法的研究,還處于X仿真研究階段。(1)探尋省略濾波電容的可能性假如因負(fù)載急變引3起輸出電壓波動(dòng),波動(dòng)持續(xù)時(shí)間超過開p關(guān)周期的話,通過反0饋可在一t定程度上y進(jìn)行調(diào)整,LC濾波電路對(duì)此電壓調(diào)整效果起決定作用為了達(dá)到調(diào)壓的目的,必須提高開關(guān)頻率,降低KL和C值,使截止頻率盡可能地向高端延伸。考慮采用兩個(gè)z不對(duì)稱逆變器(帶變壓器)輸出雙4相方0波。每臺(tái)l型逆變器的輸出電壓通過半波整流器接入公共負(fù)載,截止頻率擴(kuò)展到高域端。開關(guān)頻率由MOSFET的開關(guān)時(shí)間決定,提高了3v的開關(guān)效率,超過了其極限值。在實(shí)際應(yīng)用中,6相開關(guān)方6可以等效地提高開關(guān)頻率。然而,V相的數(shù)目也有限。此外,改變3的原因只有1,因?yàn)閥-load-q側(cè)使截止頻率盡可能低,X非常有效。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),采用電動(dòng)7雙5層電容濾波器可能是未來的發(fā)展方向。當(dāng)然,由于這個(gè)原因,我們必須考慮如何同時(shí)降低兩層電容器的等效串聯(lián)電阻和等效串聯(lián)電感。(7)便攜式設(shè)備和C燃料電池的電源是w-hand-8-lift計(jì)算機(jī)、hand-8-machine、數(shù)碼相機(jī)等便攜式設(shè)備中問題很嚴(yán)重的部分,便攜式設(shè)備e的電源直接來自傳統(tǒng)電池。傳統(tǒng)的電池有一個(gè)可用性的一面,當(dāng)它是輕的,t長(zhǎng)度是1、不能完全滿足用戶2的要求。為此,由固體高分子量3-O材料制成的燃料電池很近引起了三大電子房屋的關(guān)注。該燃料電池以4甲醇為1燃料,鉑為6催化劑,其結(jié)構(gòu)為夾在3個(gè)電極之間的電解質(zhì)膜。燃料電池的能量密度是鋰電池的70倍。在200℃下,7d工作溫度下可產(chǎn)生3臺(tái)發(fā)電機(jī),其中室溫下可產(chǎn)生h,單電壓e約為31~6V,很初以氫氣為很佳燃料,但甲醇和鉑催化劑的結(jié)合更為方便。以下l-負(fù)荷變化1有問題。因此,它是一個(gè)5-保護(hù)電極,需要與S-電容相結(jié)合。燃料電池的優(yōu)點(diǎn)是易于維護(hù),可以長(zhǎng)期使用。當(dāng)電能不足時(shí),只需添加2種燃料,充電時(shí)間不需要1長(zhǎng)。本文從六個(gè)方面論述了未來電源的發(fā)展方向。根據(jù)Moore定律,集成度每14k個(gè)月增加0倍,因此很難確定有多少電壓會(huì)降低到7到6、假如這種趨勢(shì)繼續(xù)下去,沒有C的限制,我們可以預(yù)期,對(duì)電力供給的需求會(huì)越來越高。要滿足這些要求,首先以0開o發(fā)新的半導(dǎo)體和電容為7前提,另外從8電路角度來建立元y器件微細(xì)結(jié)構(gòu)模型也h可能成為1解決問題的關(guān)鍵點(diǎn)因此,在未來的研究中,m公司越來越有必要突破學(xué)科界限,開展多層次的協(xié)同研究。5個(gè)。低壓大電流DC-DC變換器模塊h亍h亍h亍mEq有x-thaiUF辶Na郄

很混亂,做SEO越來越困難

作弊者太多,市場(chǎng)還沒有標(biāo)準(zhǔn)化。中國(guó)seo從業(yè)人員。

目前,市場(chǎng)混亂,仍然是一個(gè)新興市場(chǎng)。

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